單晶片為制造LED的基底，也稱作襯底，多采用藍寶石、碳化硅、GaAs、GaP為材料。外延片為在單晶上生長多層不同厚度的單晶薄膜，如AlGaAs、AlGaInP、GaInN等，用以實現不同顏色或波長的LED。常見的外延方法有液相外延法（LPE）、氣相外延法（VPE）以及金屬有機化學汽相沉積（MOCVD）等，其中VPE和LPE技術都已相當成熟，可用來生長一般亮度LED。而生長高亮度LED必須采用MOCVD方法。目前全球MOVCD的主要制造廠家為德國的AIXTRON公司和美國VEECO公司，前者約占60%~70%的國際市場份額，后者占據30%~40%。日本廠家生產的設備基本限于日本國內銷售。


    中游主要是芯片設計和加工。中游廠商根據LED的性能需求進行器件結構和工藝設計，通過外延片擴散、然后金屬鍍膜，再進行光刻、熱處理、形成金屬電極，接著將基板磨薄拋光后進行切割。


    下游包括LED芯片的封裝測試和應用。LED封裝是指將外引線連接到LED芯片的電極上，形成LED器件，封裝起著保護LED芯片和提高光取出效率的作用。LED封裝技術是從半導體分立器件的封裝技術基礎上發展而來。目前LED產品的封裝類型主要有Lamp型、插入式（ThroughHole）、表面安裝型（SMD）、直接粘接式（DirectBonding）等。其中SMD型LED體積比其它傳統型LED小，因此SMD型主要用于手機屏幕背光源及手機按鍵，受手機需求影響較大。